概览

简介

RTK226110DE0010BU 是一款 RAA226110 栅极驱动评估板。 此评估套件包括两颗来自GaN 系统公司的 650V GaN 增强型 HEMT (E-HEMT) 和所有必要的电路,包括半桥栅极驱动器、隔离电源和散热器(可选),以组成一个集成的半桥功率驱动板。 它允许用户在任何基于半桥的拓扑结构(无论是采用通用主板(P/N:GS665MB-EVB)还是用户自己的系统设计)中,轻松评估 GaN E-HEMT 的性能。 RTK226110DE0010BU 板提供 0V 关断电压解决方案。 0V 关断解决方案易于实施,通常用于不需要负压关断的较低功率应用。

特性

  • 其可以作为参考设计和评估工具以及易于部署的解决方案,方便客户执行系统内评估。
  • 采用垂直安装方式,高度为 35mm,适合大多数 1U 设计,允许在传统通孔式安装形式下验证 GaN E-HEMT的性能。
  • 带电流检测,可简单测试开关波形。
  • 0V 关断电压。

应用

文档

类型 文档标题 日期
手册 - 开发工具 PDF 1.59 MB
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设计和开发

软件与工具

软件下载

类型 文档标题 日期
PCB设计文档 ZIP 995 KB
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