概要

説明

These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特長

  • Low on-state resistance RDS(on) = 35 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A)
  • Low Ciss: Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
  • Logic level drive type
  • Gate to Source ESD protection diode built in
  • Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 335 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
ガイド PDF 1.71 MB
製品別信頼性資料 PDF 218 KB
カタログ PDF 2.24 MB
ガイド PDF 596 KB
6 items

設計・開発

モデル