概要

説明

The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.

特長

  • Low on-state resistance
    RDS(on)1 = 7.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
    RDS(on)2 = 9.0 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −10 A)
    RDS(on)3 = 20 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −10 A)
  • 2.5 V drive available
  • Avalanche capability ratings

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
データシート PDF 270 KB
カタログ PDF 8.73 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
5 items

設計・開発

モデル