概要
説明
The N0602N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特長
- Low on-state resistance
RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) - Low input capacitance
Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) - High current
ID(DC) = ±100 A - RoHS Compliant
製品比較
アプリケーション
ドキュメント
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| 分類 | タイトル | 日時 |
| データシート | PDF 485 KB | |
| カタログ | PDF 8.73 MB | |
| カタログ | PDF 11.78 MB 英語 , 简体中文 | |
| アプリケーションノート | PDF 2.65 MB 英語 | |
| アプリケーションノート | PDF 633 KB 英語 | |
| ガイド | PDF 596 KB | |
6 items
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設計・開発
モデル
ECADモデル
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Processing table
| TO-220 | TO-220 | Tube | 1 | 1.185 | サンプルを入手, |
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