概要

説明

MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness.

特長

  • Low on-resistance
    RDS(on) = 0.068 Ω typ. (at ID = 10 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C)
  • Very low gate charge
    Qg = 19 nC typ. (at VDD = 160 V, VGS = 10 V, ID = 20 A, Ta = 25°C)
  • Low leakage current
  • High speed switching

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
カタログ PDF 8.73 MB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
データシート PDF 90 KB
5 items

設計・開発

モデル