概要

説明

スイッチング用途(モータ駆動など)、ロードスイッチ用途に適したMOSFETです。 低オン抵抗、高速スイッチング、高ロバスト性を実現します。

特長

  • VDSS = −30 V (TA = 25°C)
  • オン抵抗
    RDS(on) = 15 mΩ max. (VGS = −10 V, ID = −10 A)
  • 4.5V ゲートドライブ利用可能
  • 小型表面実装パッケージ(SOP-8)
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー対応

製品比較

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日付
データシート PDF 324 KB
アプリケーションノート PDF 2.65 MB 英語
アプリケーションノート PDF 633 KB 英語
ガイド PDF 596 KB
4 items

設計・開発

モデル