概览

简介

This product is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

特性

  • Super low on-state resistance
    RDS(on) = 3.3 mΩ MAX. ( VGS = 10 V, ID = 45 A )
  • Low Ciss : Ciss = 3900 pF TYP. ( VDS = 25 V )

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 582 KB
End Of Life Notice PDF 1.32 MB 日文
应用文档 PDF 648 KB 日文
3 items

设计和开发

模型