概览

简介

MOSFET 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用。 低导通电阻、高速开关和高稳健性。

特性

  • 极低的导通电阻
    RDS(on) = 0.038Ω 典型值 (ID = 12.5A,VGS = 10V,Ta = 25°C 时)
  • 低栅极电荷
    Qg = 37nC(典型值) (当 VDD = 120V,VGS = 10V,ID = 25 A,Ta = 25°C 时)
  • 低漏电流
  • 高速开关

产品对比

应用

文档

类型 文档标题 日期
数据手册 PDF 90 KB
手册 PDF 8.73 MB
应用文档 PDF 3.23 MB 日文
应用文档 PDF 648 KB 日文
数据手册 PDF 160 KB
5 items

设计和开发

模型