概要

説明

RTK226110DE0010BUはRAA226110ゲートドライバ評価ボードです。 この評価キットは2つのGaNシステム650V GaNエンハンスメントモードHEMT(E-HEMT)や、ハーフブリッジゲートドライバ、絶縁型電源、ハーフブリッジパワー段を構成する任意のヒートシンクを含むすべての必要な回路から構成されます。 汎用マザーボード(P/N:GS665MB-EVB)またはユーザシステムのいずれかを使用して、ハーフブリッジベースのトポロジーでのGaN E-HEMT性能の評価を可能にします。 RTK226110DE0010BUボードは0Vターンオフ電圧ソリューションを提供します。 0Vターンオフソリューションは通常低消費電力アプリケーションで使用され、負の電圧レールが不要なので、導入が容易です。

特長

  • リファレンスデザインや評価ツールだけでなく、簡単なシステム内評価向けに即導入できるソリューションとしても機能します。
  • 高さが大半の1Uデザインにフィットする35mmの垂直型取り付けスタイルで、GaN E-HEMTの評価が従来のスルーホールタイプの電源ボードで可能になります。
  • 特性テストを切り替えるための電流シャントの位置。
  • すべての製品を対象とした汎用フォームファクターと実装面積。
  • 0Vターンオフ電圧。

アプリケーション

ドキュメント

分類 タイトル 日時
マニュアル-開発ツール PDF 1.59 MB
1 item

設計・開発

ソフトウェア/ツール

ソフトウェアダウンロード

分類 タイトル 日時
PCB設計ファイル ZIP 995 KB
1 item