ISL73033SLHEV1Z評価ボードはISL73033SLH 耐放射線ドライバGaNパワーステージの性能を評価するために用いられます。 ISL73033SLHは4.5Vゲートドライバと100V、7.5mΩエンハンスメントモードの窒化ガリウムFET(eGaN FET)を8mm x 8mmの単一BGAパッケージに統合されています。 このデバイスはドライバとGaN FETを1つのパッケージに統合することによりプリント基板(PCB)レイアウトを簡素化し、強化と絶縁型DC/DCコンバータトポロジのために設計されています。 このドライバは4.5Vから13.2Vの供給電圧で動作し、反転と非反転の論理ドライブの要件を満たすために、1つのデバイスで反転(INB)入力と非反転(IN)入力 の両方があります。
ISL73003SLHEV1Z評価ボードは、3つのオンボード2512サイズの220mΩレジスタが並列(73.3mΩ)に接続され、共通ソース オープンドレイン100V 電流検知ロードスイッチとして構成されます。